Diskussion:Atomlagenabscheidung

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Letzter Kommentar: vor 9 Jahren von Toshiki in Abschnitt Abscheidung und Schichtdicke
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Überschriftsebene "Anwendungsfelder" ?[Quelltext bearbeiten]

Hallo,
als Laie in diesem Themenkomplex finde ich das Thema zwar interessant, aber so richtig schlau wurde ich nicht aus dem Artikel. In der Überschriftenebene "Geschichte" stehen zwar ein paar Anwendungsfelder erwähnt, aber das ist doch sicherlich nicht alles. Mich würde duchaus interessieren wofür man diese Technologie überall verwendet. Ist das tatsächlich auf die Halbleitertechnik begrenzt oder werden damit auch Displays kratzfest gemacht ? --hg6996 19:38, 22. Jan. 2011 (CET)Beantworten

Verwendet? In der Industrie? Soweit ich weiß nirgendwo sonst. In der Halbleitertechnik gilt sie immer noch als eine der Technik für die Abscheidung sehr dünner Schichten in Strukturen mit hohen Aspektverhältnissen, beispielsweise für Isolationsschichten oder Diffusionsbarrieren. Dass es wirklich eingesetzt wird ist mir allerdings nicht bekannt. Andere Anwendungsfelder sind dann höchstens noch die großflächigen Substrate mit der dünnen homogenen Schichten. Meiner meinung nach setzt man da aber heutzutage eher normale PVD- und CVD-Verfahren ein. Die können das auch und sind schneller (damit auch kostengünstiger) -- Cepheiden 20:18, 22. Jan. 2011 (CET)Beantworten
Vielen Dank für Deine Antwort! Deine Antwort liest sich so, als würde die Zahl der Anwendungsfelder eine eigene Überschriftsebene nicht rechtfertigen. Nun, ich kann es nicht beurteilen. Jedoch hielte ich eine klarere Erwähnung - in der Einleitung oder wo auch immer - wofür das Verfahren letztlich heute genutzt wird, für angebracht. Ich lese gegenwärtig heraus, dass man sie versucht hat, für die TFEL zu nutzen und dass sie Mitte der 1990er Jahre als aussichtsreiches Beschichtungsverfahren angesehen wurde. Wofür sie heute aber letztlich genutzt wird oder ob sie immer noch ein Nischendasein führt, das erfahre ich nicht.. ? --hg6996 12:15, 23. Jan. 2011 (CET)Beantworten

Abscheidung und Schichtdicke[Quelltext bearbeiten]

Im Artikel findet man folgende Aussage zur Abscheideleistung des ALD-Verfahrens: ".....wobei pro Zyklus 0,1 bis 3 Å an Filmmaterial erzeugt werden"

Diese Aussage ist zumindest schwer verständlich. Ein einzelnes Atom hat einen Radius je nach Sorte zwischen 0,7 und 2,5 Å (Wasserstoff ausgenommen) Viel dünner als 1 Å kann eine Monolage daher nicht sein. Ist bei der Angabe 0,1 Å eine mittlere Schichtdicke gemeint? In dem Sinne 5 % der Oberfläche sind durch eine 2 Å-Schicht belegt, und das macht eine mittlere Schichtdicke von 0,1 Å?

--79.223.10.127 13:13, 30. Jun. 2013 (CEST)Beantworten

Genau so lese ich das aus dem Artikel auch heraus, denn einen Satz weiter steht ja, dass es pro Zyklus nicht zur Abscheidung von einer Monolage kommt. — ToshikiDisku 11:29, 19. Jun. 2014 (CEST)Beantworten
Dieser Abschnitt kann archiviert werden. ToshikiDisku 11:29, 19. Jun. 2014 (CEST)